原标题：并购优塾 智能轿车之车规功率半导体工业盯梢：东微半导VS斯达半导

  新能源电动车以驱动电机、动力电池、电控代替了传统燃油车“几大件”（发动机、变速箱和一部分底盘），功率半导体成为重要增量。

  依据英飞凌测算，纯电和插电混动轿车半导体价值量834美元，438美元增量中，330美元来自于功率器材。

  现在干流的功率器材是IGBT、MOSEFT。IGBT相当于电力电子范畴的“CPU”，也是新能源运用的心脏，这两个范畴门槛相对较高，国产化率较低。

  上游——原资料包含：外延片、铜带、环氧树脂、陶瓷片等。其间，外延片出产较为杂乱，流程可分为：多晶硅→单晶硅→吞没片→抛光片→外延片，用于晶圆制作。

  芯片企业有英飞凌、意法半导体、华润微、华虹半导体等，硅片厂商有日本SUMCO、沪硅工业等。

  中游——功率分立器规划/制作厂商，代表公司为：英飞凌、安森美、意法半导体、三菱电机和东芝等，国内代表公司为：斯达半导、东微半导、比亚迪半导体、新节能、杨杰科技等。

  国内功率半导体厂商首要选用FABLESS方式，因而还触及代工厂和封测厂，代工厂代表公司为：华虹半导体、广州粤芯、上海先进、东部高科等，封测厂代表公司为：天水华天、集佳科技等。

  下流——新能源车范畴，流程为：功率半导体分立器→功率半导体模块→电控器→OEM整车厂，整车代表公司有比亚迪、抱负、蔚来、特斯拉等。

  东微半导（江苏省，苏州市）——2022年前三季度，完成经营收入7.90亿元，同比+41.29%；完成归母净赢利2亿元，同比115.62%。

  斯达半导（浙江省，嘉兴市）——2022年前三季度，完成经营收入18.74亿元，同比+56.60%；完成归母净赢利5.90亿元，同比121.43%。

  功率器材是电子设备中电能转化与电路操控的中心，首要用于改动电压、频率、相位和直流沟通转化等。常用的功率器材有DC/DC、逆变器、整流器（沟通转直流）、变频器和稳压器等。

  功率半导体（又称为电力电子器材）是功率器材的中心，依据封装方法/集成程度不同，可细分为功率分立器、功率IC、功率模组，2021年占比估计在32%、14%、54%，广泛运用于移动通讯、消费电子、新能源轿车、轨道交通、工业操控等范畴，包括低、中、高各个功率层级。

  功率分立器材首要产品是MOSFET、二级管、IGBT、晶闸管等，依据IHS数据，2020年结构占比是MOSFET（36%）＞二级管（31%）＞IGBT（27%）＞晶闸管（3%）。

  其间，功率二极管、三极管以及晶闸管等分立器，在结构上都由简略的PN结组成，开关速度慢，常用于低频范畴，且现已完成国产化。现在干流的功率器材是MOSFET、IGBT，向更高频、高压范畴拓宽，国产化率较低，是咱们重视的要点。

  从结构来看，IGBT交融了BJT（Bipolar junction transistor，双极型三极管）和MOSFET的功能优势，结构为MOSFET+一个BJT。IGBT比较MOSFET，串联结构耐压更高，导通电阻低；能扩大电流，但开关频率更低。

  IGBT和MOS两者均归于电压操控型开关器材，具有开关速度快、易于驱动、损耗低一级优势。

  从运用范畴来看：MOSGET运用以高频为主，且价格低于IGBT，因而在新能源范畴，首要运用于高频中高压范畴；IGBT以高压为主，在新能源范畴首要运用于电动车主控、风景储逆变器/变流器等高压中低频范畴（＜100KHz, 600-6500V）。

  答案：MOS和IGBT存在内部产品结构晋级+资料晋级趋势。咱们别离来看：

  1）MOSFET——从1970年代创造至今阅历了，平面型MOS（1970s）→沟槽型（1980s）→超结（1990s）→屏蔽栅（2000s）

  其间，超结MOS首要针对高压大功率场景，耐压规模600-800V，兼具高耐压、低电阻、更低的导通损耗，因而在新能源范畴充电桩、车载OBC、微型逆变器中有很多运用；屏蔽栅MOS首要是针对中低压（10v~300v）的环境，首要运用在电动工具、家电、电源、新能源发电等中低压环境。

  此外，东微半导在超结MOS的基础上，开发了超级硅MOS，经过调整器材结构、优化制作工艺，进步开关速度（挨近氮化镓功率器材水平），适用于高密度电源体系，如新能源轿车充电桩、通讯电源、工业照明电源、快速充电器、模块转化器、快充超薄类PC适配器等范畴。

  IGBT——现在IGBT商场公认选用英飞凌技能途径，结构演化至今阅历了七次迭代，现在运用较为广泛的是第四代产品。

  每一代改变，都带来更高的功率密度：相同功率下，产品尺度更小，功率密度从30kw/cm2，进步至250kw/cm2。这意味相同8寸晶圆中可以切割出更多的IGBT芯片。英飞凌新一代IGBT产品为第七代，依据新式微沟槽栅技能，可完成更高的器材可控性。英飞凌第七代产品于2022年开端大规模出货。

  近年来经过结构改进等手法，对硅基资料的物理功能进行打破的空间逐步缩小，一起由于结构杂乱化也导致了本钱上升。在此布景下，SiC/GaN/Ga2O3等宽禁带资料，能在耐压和开关频率上取得更好的器材功能，成为功率器材未来开展的一个重要方向。

  以电压场景来分，0-300V区间内Si资料占有本钱优势，600V以上的高压区间内SiC占有首要优势，300V-600V区间则是GaN资料的优势范畴。

  SIC是车规干流的第三代半导体，GaN首要用于消费电子快充，Ga2O3归于第四代半导体暂未有商业化方向。

  单管的功率分立器材，向集成度更高的功率模块和功率IC演进，可以完成更牢靠、高效率的功能，在高压大电流场景等场景运用广泛。以IGBT模块为例，其极限电压一般会比IGBT单管高1-2个等级。

  从2021年收入体量来看，斯达半导（17.07亿元）东微半导（7.82亿元）

  东微半导——成立于2008年，选用Fabless方式，自主规划芯片，首要由华虹代工。公司办理团队具有英飞凌、奇梦达、华润上华等工作阅历，此外，华为哈勃出资参股4.94%。

  现在收入构成首要为：高压超级结、中低压屏蔽栅、超级硅（对标氮化镓）MOSFET，别离占比72.7%、26.3%和0.27%。

  此外，2021年起开端出售新产品Tri-gate器材结构的IGBT产品，TGBT产品运用在光伏逆变器、储能、充电桩等范畴。而且，2021年已完成碳化硅功率器材的样品。

  从下流运用职业来看，2021年上半年，51.1%运用于工业及车规级产品，29.6%为消费类产品。其间，工业和车轨级产品可进一步细分为：工业以太网及数据通讯产品37.4%（占总收入的19.1%）、新能源轿车充电桩31.4%（占总收入比重16.04%）、大功率电源18.5%（占总收入的9.4%）、逆变器8.7%（占总收入的4.46%）、电池保护板4.1%。

  斯达半导——成立于2005年，选用Fabless方式，前期立足于工控用功率半导体。2013年开端研制轿车级功率模块，初期首要经过收购英飞凌芯片进行封装，现在根本完成一切产品的芯片自产。

  现在，收入构成中，93.46%为IGBT模块，首要以1200V 产品为主（2018年占比70%以上），在 3300V、4500V 及以上模块产品型号数较少。

  此外，斯达半导在SIC功率模块上现已研制出21款产品，现已取得宇通定点，算计3.4亿元车规级SIC MOSFET订单，估计交货期是2022~2023年。

  从下流运用职业来看，工控及电源范畴是首要收入来历，占比62.37%，新能源职业占比约33.48%。其间，新能源职业触及新能源轿车驱动设备、太阳能逆变器和风机逆变器。

  比照来看，从收入构成来看，东微半导偏重MOSFET产品，斯达半导主打IGBT模块产品。

  对添加态势有所感知后，咱们接着再将各家公司的收入和赢利状况拆开，看新一季度数据。

  东微半导——2022年前三季度，完成经营收入7.90亿元，同比+41.29%；完成归母净赢利2亿元，同比115.62%。

  1）增速奉献较大的是高压超级结MOS，2022Q3完成收入6.37亿元，占总营收的比重80%，首要运用于微逆和储能逆变器；

  2）毛利率同比进步5.09pcts，首要遭到下流高毛利的运用范畴收入占比进步，光伏运用占比到达收入的20%，新能源车OBC占比到达收入的20%，充电桩和工业电源范畴占比为15~20%。

  新事务方面，TGBT完成收入3239万元，同比添加19倍，现在上游产能仍然偏紧，该块事务跟着华虹2023Q2新产能（3万片/月）的开释有望进一步加快。

  斯达半导——2022年前三季度，完成经营收入18.74亿元，同比+56.60%；完成归母净赢利5.90亿元，同比121.43%。

  Q3赢利添加来自于：毛利率同比进步6.09pcts，首要得益于高端IGBT产品提价以及产品结构改变。新能源职业收入占比从2022H1的47.37%进一步进步至51.44%。

  车规级功率模块，2022年Q1~Q3同比添加108.1%，商场比例到达15.8%，除比亚迪外，排在国内品牌首位，而且800V SIC MOS现已上车量产。

  依据半年报，2022年上半年，其运用于主电机操控器的车规级IGBT模块继续放量，算计配套超越50万辆新能源轿车其间A级及以上车型超越20万辆，在用于车用空调、充电桩、电子助力转向等新能源轿车半导体器材比例进一步进步。

  归纳来看，2022Q3新能源相关事务景气量仍然较高，两家公司新产品均有放量。

  两家可比公司2021年净赢利现金含量较低，但由负转正，2021年供给链不畅，导致国内功率半导体企业快速添加，毛利率及回款添加所造成的。

  斯达半导2021年本钱开销较大，资金用于建造高压功率芯片及SiC芯片产线，走向 IDM+Fabless并行方式。

  从毛利率来看，斯达半导东微半导。斯达半导毛利率更高，首要是由于其新能源轿车范畴IGBT模块毛利率较高。

  两者全体趋势附近，由于下流运用范畴附近，从下流IGBT产品毛利率来看，新能源（约40%）工控及电源（约30%）家电（约20%）。

  东微半导2021年毛利率有显着进步，首要遭到产品结构的影响。2021年后，运用在5G基站电源、通讯电源、新能源轿车直流充电桩、工业电源等范畴的产品占比进步。这些运用范畴由于触及长期高电压、高电流的工作环境，对产品的耐用性和牢靠性等要求较高，因而毛利率相对较高。

  此外，从东微半导的细分产品来看，跟着超级硅MOS产品的量产，未来毛利率存在进一步进步或许。

  斯达半导2021年开端毛利率进步，由于：1）新能源需求旺盛，一起毛利率较高；2）下流需求旺盛的一起，上游晶圆产能添加较慢，导致功率半导体模块遍及提价。从扩产周期来看IGBT需求1~2年，此次扩产周期下国外厂商相对慎重，依据中信证券的计算，2023年下半年估计产能开释较快。

  东微半导总资产周转率更快，首要遭到固定资产影响。东微半导2021年底固定资产仅0.07亿元，由于选用Fabless方式，未收购机器设备和产线，且东微研制大楼选用租借方式，不具有自有房产。

  依据富昌电子，2022年Q4，部分供货商低压MOSFET、高压MOSFET及肖特基二极管交期呈现环比缩短，但IGBT交期仍坚持高位。全体来看，低压MOSFET安森美与英飞凌交期环比缩短，高压MOSFET并未改进。

  以英飞凌为例，Q4英飞凌低压MOSFET交期环比缩短，现在为40-60周，军用-航空晶体管交期环比缩短，现在为14-45周，高压MOSFEST、IGBT、宽带隙MOSFET、数字晶体管交期环比改变不大，别离为50-54、39-50、42-52、12-52、12-52周。

  供给端受卫生事件/地缘抵触停产减产等扰动，IGBT芯片供给继续紧缺。英飞凌、意法半导体等厂商继续的长交货周期，为国产代替供给机会。

  整体来看，少量高压MOSFET途径价格上涨，大都MOSFET途径价格微降，部分IGBT单管产品呈现下滑。