新京报讯（记者 樊朔）12月5日，记者从电子科技大学得悉，闻名半导体器材物理学家、我国科学院院士、电子科技大学教授陈星弼因病医治无效于在四川成都去世，享年89岁。

  陈星弼1931年1月28日出生于上海，本籍浙江省金华市浦江县。1952年结业于同济大学电机系，曾先后在厦门大学电机系、南京工学院（现东南大学）无线电系、我国科学院物理研究所作业，1956年开端在电子科技大学任教。1999年当选为我国科学院院士，2019年当选为世界电气与电子工程师协会终身会士（IEEE Life Fellow）。2015年5月取得世界功率半导体器材与集成电路会议（IEEE ISPSD）颁布的最高荣誉“世界功率半导体前驱奖”，是亚太地区首位获此荣誉的科学家。2018年5月当选IEEE ISPSD首届全球32位名人堂，系国内首位当选的科学家。

  陈星弼被誉为我国功率半导体范畴的领路人。功率半导体器材首要用于改动电压和频率，是完成电能转化的中心器材，被广泛应用于电气设备或功率设备的主电路中。陈星弼是世界半导体界闻名的超结结构（Super Junction）的创造人，该创造打破了传统半导体器材的“硅极限”，被世界学术界称为“功率器材的新里程碑“。“超结结构”创造专利（US 5216275）被其他世界专利引证超越550次。此外，陈星弼曾获国家技能创造奖及国家科技进步奖2项，省部级奖赏13项。曾任电子工业部第十三所专用集成电路国家级要点实验室学术委员会主任委员、四川省科学技能参谋团参谋等。

  据了解，陈星弼先生遗体告别仪式定于12月10日上午9：00在成都市殡仪馆（磨盘山）举办。