9月13日，斯达半导在与投资者互动时表明，公司运用自主IGBT芯片的模块和分立器材已在国内主流光伏逆变器厂家大批量装机使用，估计接下来公司市场份额会继续添加。揭露材料显现，斯达半导成立于2005年4月，是一家专业从事功率半导体芯片和模块尤其是IGBT芯片和模块研制、出产和出售服务的国家级高新技能企业，总部坐落浙江嘉兴，占地106亩，在上海和欧洲均设有子公司，并在国内和欧洲设有研制中心，是目前国内IGBT范畴的领军企业。斯达半导首要产品为功率半导体元器材，包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等等，成功研制出了全系列IGBT芯片、FRD芯片和IGBT模块，完成了进口代替。其间IGBT模块产品超越600种，电压等级包括

  Vishay推出车用高压厚膜片式电阻，在节约电路板空间的一同，还可削减元件数量并下降加工本钱器材经过AEC-Q200认证，作业电压达3 kV，选用2010和2512外形尺寸，可代替规范电阻串宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年9月8日—日前，Vishay Intertechnology, Inc. 推出经过AEC-Q200认证的新系列厚膜片式电阻---RCV-AT e3，作业电压达3 kV，外形尺寸为2010和2512。Vishay Draloric RCV-AT e3系列器材作业电压高，可用来代替多颗规范电阻串联。因而，设计师可节约电动（EV）和混合动力（HEV）轿车逆变器、车载充电器和DC/DC转化器电路板空间，一同削减元

  英飞凌推出全新650 V CoolSiC™ Hybrid IGBT分立器材系列，供给优异功率近来，英飞凌科技股份有限公司 推出 650 V CoolSiC™ Hybrid IGBT 单管产品组合，具有650 V阻断电压。新款 CoolSiC Hybrid产品系列结合了650 V TRENCHSTOP™ 5 IGBT技能和碳化硅肖特基二极管的首要长处，具有超卓的开关速度和更低的开关损耗，特别适用于 DC-DC 功率变换器和PFC电路。其常见使用包括：电动车辆充电设备、储能体系、光伏逆变器、不间断电源体系 (UPS)，以及服务器和电信誉开关电源 (SMPS)。因为续流 SiC 肖特基二极管与 IGBT 在一同封装中，在 dv/dt

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  近来，有投资者在投资者互动渠道发问大族激光：分立器材的客户，已有哪些公司购买？5月27日，大族激光在投资者互动渠道表明，公司光刻机项目分辨率3-5μm，首要聚集在分立器材、LED等范畴的使用，已完成小批量出售。值得一提的是， 5月20日，深交所正式受理了深圳市大族数控科技股份有限公司（以下简称：大族数控）创业板上市请求。材料显现，大族数控主营业务为 PCB 专用设备的研制、出产和出售，其产品掩盖钻孔、 曝光、成型、检测等PCB要害工序，是全球PCB专用设备企业中产品线最广泛的企业之一。大族数控的产品广泛掩盖多层板、HDI板、IC封装基板、挠性板及刚挠结合板等多个PCB细分范畴，客户臻鼎科技、欣兴电子、 东山精细、华通股份、健鼎科技

  英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出车用650 V CoolSiC™混合分立器材。该器材包括一个50 A TRENCHSTOP™5快速开关IGBT和一个CoolSiC肖特基二极管，可以提高性价比并带来高可靠性。这种组合为硬开关拓扑打造了一个统筹质量与性价比的完美计划，除支撑双向充电之外，还有助于完成很高的体系集成度。这使得该器材十分合适许多快速开关轿车使用，如车载充电器（OBC）、功率因数校对（PFC）、DC-DC和DC-AC变流器等。集成式快速开关50 A IGBT的关断功用优于纯硅解决计划，可与MOSFET比美。较之惯例的碳化硅MOSFET，这款即插即用型解决计划

  英飞凌科技股份公司推出车用650 V CoolSiC™混合分立器材。该器材包括一个50 A TRENCHSTOP™ 5快速开关IGBT和一个CoolSiC肖特基二极管，可以提高性价比并带来高可靠性。这种组合为硬开关拓扑打造了一个统筹质量与性价比的完美计划，除支撑双向充电之外，还有助于完成很高的体系集成度。这使得该器材十分合适许多快速开关轿车使用，如车载充电器（OBC）、功率因数校对（PFC）、DC-DC和DC-AC变流器等。集成式快速开关50 A IGBT的关断功用优于纯硅解决计划，可与MOSFET比美。较之惯例的碳化硅MOSFET，这款即插即用型解决计划可缩短产品上市时刻，能以更低本钱完成95％至97％的体系功率

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