- 国内碳化硅工业化带有“学研”基因极为杰出，“产学研用”已成国内碳化硅衬底范畴的重要特征；

  - 国内SiC商业化衬底以4英寸为主，逐渐向6英寸过渡，与世界干流比较，我国大尺度SiC单晶衬备技能仍不老练，单晶衬底尺度依然偏小；

  - 国内SiC单晶资料范畴在以下方面存在必定危险：一是SiC单晶企业无法为国内现已/行将投产的6英寸芯片工艺线英寸单晶衬底资料。

  以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体资料是继硅资料之后最有远景的半导体资料之一，与硅资料比较，以碳化硅晶片为衬造的半导体器材具有高功率、耐高压、耐高温、高频、低能耗、抗辐射才能强等长处，可广泛运用于新能源轿车、5G 通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等现代工业范畴。

  Si和SiC作为半导体资料简直一起被提出，但因为SiC成长技能的杂乱和缺点、多型现象的存在，其开展曾一度被停滞。

  碳化硅晶体的组成技能至今现已有近200年的前史。气相法成为制备碳化硅单晶的重要技能，首要阅历了Acheson法、Lely法和PVT法等的开展阶段。1955年，Lely首先在试验室用进步法制备出了具有满意尺度的SiC单晶；1978年，前苏联科学家Tairov和Tsvetko在Lely法的基础上进行了改善，提出选用籽晶来操控晶体成长的构型，称为PVT法或改进Lely 法。现在，PVT法是成长大直径、高质量碳化硅单晶最常用的办法。

  自1994年后，跟着半导体照明及2英寸SiC单晶衬底的突破性开展，全球SiC研讨热潮掀起。世界各国对SiC的研讨十分重视，美国、欧洲、日本等从国家层面上拟定了相应的研讨规划。

  关于第三代半导体而言，SiC作为中心衬底资料，其供给稳定性十分重要，无论是SiC功率器材仍是高功能的SiC基GaN器材，都离不开SiC衬底。

  现在，在碳化硅晶片范畴，世界上呈现了美国Wolfspeed公司（此前用名：Cree，以下用Wolfspeed）、美国II-VI公司和德国SiCrystal（2009年被罗姆收买）公司等代表性龙头企业。

  上世纪90年代初，美国Wolfspeed公司已成功推出碳化硅晶片产品，Wolfspeed于上世纪90年代末成功研宣告4英寸碳化硅晶片，并于2001年成功研制首个商用碳化硅SBD产品。2015年，Wolfspeed、II-Ⅵ公司推出了8英寸SiC单晶衬底资料样品。

  我国在SiC单晶的制作方面起步较晚。现阶段，国产SiC衬底技能和工业均有了长足进步，但从世界商场看，占有率仍较低。

  国内高校和科研单位对SiC单晶的研讨始发于2000年前后，包含上海硅酸盐所、中科院物理所、山东大学、中电集团46所、西安理工大学、西安电子科技大学等。

  集微咨询（JW insights）调研制现，国内碳化硅工业化带有“学研”基因极为杰出，“产学研用”已成国内碳化硅衬底范畴的重要特征。

  集微咨询（JW insights）了解到，现在世界上SiC衬底的制作早已从4英寸换代到6英寸，部分企业8英寸产线行将开端量产。而国内SiC衬底工业化方面，以4英寸为主，现已开宣告6英寸导电型SiC衬底和高纯半绝缘SiC衬底。与硅晶圆相似，大尺度的晶圆也是碳化硅衬底的开展方向。

  此外，国内SiC 衬底出产工艺水平有待进一步进步，产品在直径、缺点密度、稳定性等参数上与世界干流商用企业Wolfspeed等的同类产品还有必定距离。

  集微咨询（JW insights）以为：关于国内的工业开展而言，除了寻求更大尺度的衬底之外，衬底产品其他功能参数的进步也需求更多的基础研讨的支撑。例如，为了发挥资料功能优势，SiC 功率器材必定将逐渐走向更高电压和更高功率的运用，这就对SiC 功率器材在高压水平下的可靠性提出了更高的要求，意味着需求不断下降衬底及外延中的缺点密度来进步可靠性，尤其是位错密度水平。这些缺点密度的处理都需求体系且长时间地深化学术、工艺等方面进行研讨，独自依托企业很难完结。在此布景下，产学研协作成为技能落地的重要道路。

  国立研讨机构的特点是基础研讨力量雄厚，承当高危险研制的才能强，能够从更深层次去研讨这些缺点构成的机理和处理途径，并能及时将研讨成果运用于工业。因而，在SiC全链条科技立异中，国立研讨机构仍需持续发挥重要的效果。

  现在，国内能批量出产SiC衬底的企业包含天科合达、山东天岳、烁科晶体、同光晶体、中科钢研、南砂晶圆、福建北电新资料、世纪金光、中电化合物、江苏超芯星等公司。

  集微咨询（JW insights）以为，资金曾经是我国第三代半导体工业化进程遇到的最大问题之一。而近几年，国内第三代半导体工业出资热度居高不下，很多资金推进项目新建、扩产，职业外企业也活跃经过并购进入第三代半导体范畴，这将有利加快工业的开展及追逐。

  但在我国第三代半工业追逐进程中，依然存在必定危险。集微咨询（JW insights）计算闪现，近5年布局的碳化硅衬底、外延、器材项目中，6英寸占比为超70%。但现在国内大部分SiC衬底企业依然无法满意国内现已/行将投产的6英寸芯片工艺线对衬底产品的需求，尤其是高质量6英寸单晶衬底资料依然需求依靠国外企业。

  半导体工业是当时美国对华技能封闭的要点范畴，现已成为我国“短板”中的重灾区。而2018年，美国清晰把碳化硅、氮化镓等资料列入301操控技能清单，美国商务部将第三代半导体资料和芯片企业列入制裁名单。2020年2月，美国及日本等 42 个参加《瓦森纳协议》的国家，决议扩展出口操控规模，新追加了可转为军用的半导体基板制作技能等，避免技能外流到我国等地。

  集微咨询（JW insights）以为，“十四五”是我国第三代半导体工业开展的要害窗口期，树立长时间战略优势至关重要。现在全球第三代半导体正处于工业迸发前的“抢跑”阶段。我国在商场和运用范畴有战略优势，正在构成完善的工业链条，在本钱、方针的盈利加持下，第三代半导体工业将从中获益。

  要害字：SiC修改：北极风 引证地址：集微咨询：国内SiC衬底企业技能图谱：“产学研”基因闪现

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