日前，西安邮电大学新式半导体器材与资料要点实验室的陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一效果标志着该校在超宽禁带半导体研讨上获得重要发展。

  2月28日，我国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，到达世界最高水平。

  2月27日，我国科学技能大学校微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院姑苏纳米所加工渠道，别离选用氧气气氛退火和氮离子注入技能，初次研制出了氧化镓笔直槽栅场效应晶体管。相关研讨效果日前别离在线发表于《使用物理通讯》《IEEE电子设备通讯》上。

  近年来，我国在氧化镓的制备上接连获得突破性发展，从上一年的2英寸到6英寸，再到最新的8英寸，氧化镓制备技能正益发走向老练。被视为第四代半导体最佳资料之一的氧化镓，有望逐渐成为半导体赛道新风口。

  氧化镓工业化也在进行中。上一年6月30日，铭镓半导体完结近亿元A轮融资，融资将首要用于氧化镓项目的扩产与研制，估计2023年末将建成国内首条集晶体成长、晶体加工、薄膜外延于一体的氧化镓完好工业线。

  我国科学院院士郝跃指出，氧化镓资料是最有或许在未来大放异彩的资料之一，在未来的10年左右，氧化镓器材有或许成为有竞赛力的电力电子器材，会直接与碳化硅器材竞赛。

  新湖中宝(600208)出资的富加镓业专心于第四代半导体资料宽禁带半导体氧化镓资料的研制，现在现已开始建立了氧化镓单晶资料规划、热场模仿仿真、单晶成长、晶圆加工等全链路研制才能，现已推出2英寸及以下标准的氧化镓UID(非故意掺杂)、导电型及绝缘型产品。

  我国西电(601179)子公司西电电力持股陕西半导体先导技能中心，该中心有进行氧化镓、金刚石半导体、石墨烯、AIN等化合物半导体、化合物集成电路等立异性科研效果的转化。

  阿石创(300706)可根据客户需要为其定制化出产氧化镓及氧化镓混合物类的靶材产品。