新能源轿车、5G通讯、光伏储能等商场开展方兴未已，在傍边扮演着愈加重要的SiC/GaN等宽禁带半导体资料也成为时下最炽热的开展范畴之一。在许多运用中，化合物半导体资料被寄予厚望，但实际上工业的开展尚处于起步阶段，产品本身及工业链还需要更进一步的晋级。
TrendForce集邦咨询旗下化合物半导体商场、全球半导体调查在深圳福田JW万豪酒店举行“2022集邦咨询化合物半导体新运用前瞻剖析会”，与来自不同职业的500多位菁英一同探究工业的开展时机与应战，一起展望化合物半导体商场的夸姣未来。
会议伊始，集邦咨询总司理樊晓莉宣布致辞，她向一切参会嘉宾表明欢迎和感谢，并表达了对化合物半导体工业开展的夸姣祝福。随后，化合物半导体范畴的职业专家与集邦咨询剖析师相继宣布精彩讲演，讲演精华汇总如下。
以SiC和GaN为代表的第三代半导体，正支撑起战略性新兴工业的开展，重塑世界半导体工业格式。北京大学沈波教授以《我国第三代半导体技能/工业开展现状和国家十四五科技规划》为题，为咱们带来了精彩的讲演。
陈述中谈到，第三代半导体是支撑 “新基建”和”我国制作的中心技能，其间制成的射频器材事关国家安全和世界战略平衡，是新一代移动通讯体系中心部件，而功率器材则是新能源轿车、高铁动力体系、新一代通用电源、电力体系中心部件，别的，根据GaN基LED的半导体照明正明显影响和改动人们的生活方式。
关于国内第三代半导体工业开展，沈波教授指出，全工业链已根本构成, 比较完好，但高端产品（特别是电子器材范畴）距离较大，部分高端产品仍是空白。国内应致力于从完结“有无” 到处理“能用”和“卡脖子” 问题，完结第三代半导体全工业链才能和水平进步，全体世界同步，部分完结逾越。
作为SiC和GaN技能范畴的领导者，Wolfspeed 产品宗族包含了 SiC 资料、功率开关器材、射频器材，针对电动轿车、快速充电、5G、可再生能源和储能、以及航空航天和国防等多种运用。
本次会议中，Wolfspeed华南区出售总监柯鸿彬为咱们带来了《Powering the Future – 驭动未来》主题陈述，他要点叙述了轿车体系中SiC技能的优异体现以及Wolfspeed公司的SiC抢先处理计划，例如在22kW双向OBC中，Si计划本钱是SiC计划的1.18倍；SiC计划的峰值体系功率更高，能到达97%；以及SiC计划的功率密度也有很大进步，到达约~3kW/L。别的，他还描绘到30kW双向电动车充电模块中SiC计划的优势等。
Wolfspeed现在具有笔直一体化的布局，在全球SiC衬底商场份额中排名榜首，其坐落美国纽约州Marcy的Mohawk Valley Fab工厂是现在全球最大的SiC制作工厂，完结200mm制程。这一选用抢先前沿技能的工厂估计将于2022年头投入运用，到时将大幅扩展公司SiC产能，Wolfspeed正在推进多个工业从Si到SiC的重要转型。Wolfspeed SiC技能凭仗着杰出的功能敞开新的或许，并将为咱们的生活方式带来活跃改变。作为SiC技能的前锋引领者，Wolfspeed关于未来的远景激动不已。
晶能光电在硅衬底GaN技能范畴已耕耘近二十载，在全球首先完结硅衬底GaN技能在LED范畴的工业化和商场运用。
本次会议中，晶能光电外延研制司理郭啸为咱们带来了《硅衬底氮化镓Mini/Micro LED显现技能开展与未来》主题陈述。
Mini LED部分，他要点谈到了晶能光电硅衬底Mini LED 超高清显现屏运用开展和正在开发中的TFFC芯片P0.6—P0.3距离处理计划，以及硅衬底笔直结构Mini LED产品量产规划。
Micro LED部分，他指出，比较老练的OLED技能，Micro LED显现技能的开发和工业化还存在许多的困难，其间红光LED是Micro LED技能的严重瓶颈之一，开发高效的氮化镓基红光Micro LED成为燃眉之急。但值得重视的是，2021年9月，晶能光电成功制备红、绿、蓝三基色硅衬底Micro LED阵列，在Micro LED全彩芯片开发上迈出了要害的一步。
从可见光到不可见光，从一般照明到Micro LED新式显现，从发光器材到GaN功率器材，晶能光电专心硅衬底GaN技能，正在给客户供给更有技能含量的产品，从“性价比”进步至“质价比”，为客户发明更大的价值。
ROHM作为SiC功率元器材的领军企业之一，具有笔直一体化的工业布局。ROHM早在2010年开端量产SiC MOSFET，2012年开端供给契合AEC-Q101规范的车载级产品，现在已与国内外轿车企业深度协作。
本次罗姆公司高档工程师罗魁为咱们带来了《浅谈电动轿车商场的SiC器材运用》主题陈述，他要点介绍了SiC在电动轿车主机逆变器/OBC/DC-DC转化器中的运用，以及ROHM公司的下一代SiC-MOSFET和未来的开展战略。
在DC-DC转化器中，除了小型、高功率这一根本需求之外，跟着高压化和双向化等需求走向多样化，SiC将大规划运用。而在主机逆变器部分，SiC能经过进步逆变器功率来削减电池装载量，然后下降整车体系本钱，但SiC于此也面临着器材/封装技能以及本钱等课题。
ROHM公司做出了相应的尽力，在器材技能方面完结RonA和SCWT的trade-off改进；封装技能上支撑双面散热模块，支撑银烧结技能，并开端下一代先进SiC模块的研制；本钱上ROHM具有IDM形式的优势，完结了SUB结晶缺点削减，以及选用先进的晶圆加工技能和迈向8吋化。
别的，ROHM第四代SiC-MOSFET完结了业界尖端的低导通电阻和高短路耐量，将在日趋激烈的SiC商场中获得更多客户认可，抢占商场份额。关于未来SiC开展战略，ROHM计划在2025年获得全球30%商场份额。
GaN为第三代半导体资料，禁带宽度是Si的3倍，击穿电场是Si的10倍，因而，相同额外电压的GaN开关功率器材的导通电阻比Si器材低3个数量级，具有高转化功率、低导通损耗的特性，开关损耗极低，可以进步体系全体功率，下降体系全体本钱。
一起，相同耐压条件下GaN器材尺度只要Si器材的1/10，大大减小了电路中储能原件如电容、电感的体积，然后成倍地削减设备体积，削减铜等宝贵原资料的耗费。
在《新运用下GaN技能的开展和应战》主题陈述中，华灿光电副总裁王江波指出，GaN资料成为紫外，蓝光，绿光LED和激光器等光电器材完结的根底，广泛运用于照明，显现，通讯，医疗等多个范畴。
华灿光电具有十几年GaN相关的外延及芯片（LED）制作经历，在新一代显现用芯片Mini&Micro LED范畴，华灿光电处于业界抢先地位，在Mini LED范畴，协作伙伴包含职业界大多数龙头企业，揭露发表的包含台湾群创、京东方等知名企业，公司与工业链上下流严密协同协作，引领新式高端显现产品工业化进程。在Micro 范畴，公司中小尺度产品与战略客户协作获得要害开展，良率稳步进步，满意客户体系验证要求; 大尺度圆片波长均匀性明显得到进步，公司巨量搬运技能与设备厂商以及下流战略客户联合开发，开展顺畅。
2020年，华灿光电开端进入GaN电力电子器材范畴，产品首要面向移动消费电子终端快速充电器、其他电源设备，云核算大数据服务器中心、通讯及轿车运用等范畴。现在GaN 电力电子器材外延片已到达国内先进水平，芯片相关工艺完结阶段性开发，6英寸硅基GaN 电力电子器材工艺已通线mm栅宽D-Mode器材静态参数已达世界规范。华灿光电估计2022年末推出650V cascode产品，2023年具有批量出产和代工才能。
凭仗优异的功能，近两年来GaN技能在消费电子商场的开展一路日新月异，遍及速度非常快，获得越来越来越多品牌客户和顾客的认可。英诺赛科作为国内GaN功率器材的领军企业，已建成我国首条8英寸硅基氮化镓外延与芯片大规划量产出产线，也正以其锋芒毕露的出售体现引领全球GaN工业开展。
本次会议中，英诺赛科高档司理贺鹏带来了《GaN的运用时机及应战》的主题讲演，陈述以碳达峰、碳中和为布景、结合GaN功率器材的优势，聚集才智照明、电机驱动、数据中心等范畴，展望了未来GaN在电能改换的优势和潜力；一起，对GaN在当时运用中的问题和应战进行了剖析，概述了对应的处理计划及方向。总归，跟着技能、运用和职业的开展，GaN功率器材必将在完结“双碳”的道路上大展身手！
作为抢先的第三代半导体技能供给商，英诺赛科的IDM全工业链集成制作形式将为客户带来愈加高效、高可靠性的产品及处理计划，为氮化镓工业甚至化合物半导体工业开展做出更大的奉献。
MOCVD设备是化合物半导体外延资料研讨和出产的要害设备，Aixtron (爱思强)是全球抢先的MOCVD设备供给商，多年来致力于为量产化合物半导体器材供给高良率的外延技能处理计划。
本次会议中爱思强副总司理方剂文带来了《完结GaN和SiC功率器材工业化的要害MOCVD技能》主题讲演，他表明，在全球电力电子体系改造的大趋势推进下，化合物半导体在未来商场中有非常大的运用场景。SiC在越来越多的轿车运用逐步获得认可，而GaN正加快渗透进消费商场。
为了完结器材的优异功能，外延层的制备至关重要，方剂文博士剖析了宽禁带半导体外延批量出产技能的最新开展，包含用于SiC外延的AIX G5 WWC和用于GaN外延的AIX G5+ C批量出产处理计划。AIX G5 WW C MOCVD运用根据经过量产客户验证的AIXTRON行星式反应器渠道，并导入全自动化卡匣式（C2C）晶圆传输体系，完结了业界单腔最大片数(8 x 6英寸)及最大产能。它一起供给了灵敏的6英寸和4英寸装备，旨在将出产本钱压缩到最低，一起坚持优异的产品质量。别的，下一年爱思强也将会在商场推出8英寸设备。
我国已经成为全球外延设备的首要驱动力气，爱思强自90年代起开端在我国开辟商场，未来爱思强还将持续参加到更多的技能活动中去，为我国带来更多的新技能与新理念，进一步促进化合物半导体商场的开展。
近年来，随同GaN功率器材在消费电子、工业和数据中心以及新能源轿车、才智交通等范畴遭到广泛欢迎，高质量GaN外延资料成为职业重视的焦点。晶湛半导体是专门供给 GaN 外延处理计划的外延代工厂，出产的GaN外延片产品包含了200V~1200V功率运用，可供给耗尽型与增强型两种结构，并已进行了齐备的外延相关专利布局。本次会议中，晶湛半导体高档司理朱钰共享了《运用于功率器材的GaN外延片开展》。
自20世纪90年代首个GaN-on-Si HEMT 结构面世以来，因为Si和GaN巨大的资料晶格失配和热失配所导致的外延成长难题就长时间困扰业界，因而，大尺度高质量GaN-on-Si HEMT 外延技能就成为GaN在电力电子范畴广泛运用的巨大应战。
继 2014 年成功推出商用 200mm GaN-on-Si HV HEMT 外延片后，2021年9月，晶湛半导体运用其彻底自主知识产权的相关专利技能，优化了AlN成核层和资料应力操控技能，成功霸占12英寸(300mm)无裂纹 GaN-on-Si外延技能，在满意大规划量产和运用所需的漏电要求前提下，成功掩盖200V、650V、1200V等不同击穿电压运用场景需求，厚度不均匀度减小至 0.3%，晶圆翘曲Bow
近年来，跟着SiC器材的移风易俗，关于SiC器材运用的研讨不断打开，其间驱动技能的研讨关于新式半导体器材的运用有着重要意义。
本次会议中，青铜剑技能商场司理张行方为咱们带来了《碳化硅驱动技能解析》主题陈述，陈述中他介绍了SiC与Si器材的差异，比较于Si器材，SiC器材具有更快的开关速率、更高的dv/dt、更低的注册阈值以及更差的门极负压耐受才能。
鉴于SiC器材注册阈值较低，门极负压耐受才能差，简单呈现门极误导通现象，添加米勒钳位电路用于旁路外部分极电阻，能极大下降回路阻抗。别的，为按捺高速开关带来的尖峰电压的影响，需要在输出侧添加尖峰电压按捺电路，来下降震动进入到芯片的幅值，保证其低于寄生电路的注册阈值，然后有用防止芯片的反常作业。最终他介绍了青铜剑的碳化硅驱动计划、驱动IC、功率半导体器材动态参数测验体系等。
青铜剑技能专心于IGBT、MOSFET和碳化硅等功率半导体器材驱动的研制、出产、出售和服务，产品广泛运用于新能源轿车、轨道交通、新能源发电、工业节能、智能电网等范畴，为超越300家客户供给优质的电力电子中心元器材产品和处理计划服务。
获益于新能源轿车、光伏储能、智能电网、工业自动化等下流运用商场需求的多点迸发，功率半导体商场迎来了此轮高景气周期。宽禁带半导体SiC/GaN将经过打破Si功能极限来开辟功率半导体新商场，也将在部分与Si穿插范畴到达更高的功能和更低的体系性本钱，是未来功率半导体工业开展的要点方向。
集邦咨询化合物半导体剖析师龚瑞骄为咱们共享了《宽禁带功率半导体商场现状及展望》主题陈述，剖析了整个职业的开展趋势：SiC正在加快笔直整合，而GaN则构成IDM形式与笔直分工并存的局势。别的，龚瑞骄还叙述了SiC衬底在整个工业中的重要性，世界功率大厂都在向上延伸渗透进资料端，获得SiC衬底资源是进入下一代电动车功率器材的进场门票。他还说到，未来宽禁带半导体将电动车中大规划运用，跟着轿车渠道高压化趋势愈演愈烈，预估2025年电动车商场对6英寸SiC晶圆需求将达169万片。
在最终的沙发论坛环节中，集邦咨询研讨副总王飞担任掌管，与深圳大学半导体制作研讨院院长王序进院士、三安集成电路出售总监张翎、 晶能光电外延研制司理郭啸、北方华创华南办事处总司理牛群、高瓴创投运营合伙人吕春风、邑文科技副总司理叶国光，对当时热度超高的论题打开了活跃火热的评论和诚心满满的共享，为部分化合物半导体业者拨开了迷雾，也奉献了神机妙算。
本次会议，许多职业优异媒体也来到了现场，包含凤凰网、证券时报、榜首财经、21世纪经济报导、每日经济新闻、财联社、半导体职业调查、电子发烧友、问芯Voice、世界电子商情、电子工程专辑等媒体，对现场讲者进行了深度访谈。
