四川新闻网成都12月5日讯 世界闻名半导体器材物理学家、微电子学家，我国科学院院士，IEEE Life Fellow，九三学社社员，电子科技大学教授陈星弼先生，因病医治无效，于2019年12月4日17时10分在成都去世，享年89岁。

  陈星弼先生1931年1月28日出生于上海，本籍浙江省金华市浦江县。1952年结业于同济大学电机系。结业后在厦门大学电机系、南京工学院（现东南大学）无线年到成都电讯工程学院（现电子科技大学）任教。1983年任成都电讯工程学院微电子科学与工程系系主任、微电子研讨所所长。曾先后在美国俄亥俄大学、加州大学伯克利分校、加拿大多伦多大学作访问学者

  陈星弼先生是我国第一批学习及从事半导体科技的人员之一，是电子工业部“半导体器材与微电子学”专业第一个博士生导师。他是世界闻名的半导体器材物理学家、微电子学家，是世界半导体界闻名的超结结构（Super Junction）的创造人，也是世界上功率器材的结终端理论的集大成者。

  陈星弼先生于上世纪五十年代末，在世界上最早对漂移晶体管的存贮时间问题作了体系的理论剖析。七十年代，他在我国首先制作硅靶摄像管。八十年代以来，从事功率半导体器材的理论与结构立异方面的研讨。在我国初次研发了VDMOST、IGBT、LDMOST、MCT、EST等器材，并第一个提出了各种终端技能的物理解说及解析理论。上世纪八十年代末他提出了两种新的耐压层结构，并作了仅有的三维电场剖析。其间超结结构打破了传统功率器材的硅极限，被世界学术界称为“功率器材的新里程碑”。

  2000年今后，陈星弼先生的其它重要创造还包含高K电介质耐压结构、高速IGBT、两种大都载流子导电的器材等。他宣布超越200篇学术论文和取得授权中美等国创造专利40余项，其间闻名的超结创造专利US5216275被世界专利他引超越550次，并授权给世界干流半导体公司。他掌管完结国家自然科学基金要点项目、军事研讨项目、国家“八五”科技攻关项目多项。获国家技能创造奖及国家科技进步奖2项，省部级奖赏13项。曾任电子工业部第十三所专用集成电路国家级要点实验室学术委员会主任委员、四川省科学技能参谋团参谋等。

  因对我国功率半导体范畴的突出贡献，陈星弼先生于1999年当选为我国科学院院士。因对高压功率MOSFET理论与规划的卓越贡献，他于2015年5月取得IEEE ISPSD大会颁布的最高荣誉“世界功率半导体前驱奖”，成为亚太地区首位获此荣誉的科学家。2018年5月，因创造的超结器材成为国内首位当选IEEE ISPSD首届全球32位名人堂的科学家。

  陈星弼先生终身酷爱祖国，忠于党的教育事业，追求真理，谨慎治学，立德树人，务实求真，谦善仁慈，诙谐诙谐，展示了老一辈科学家的崇高道德和家国情怀。他酷爱电子科大，为校园贡献了终身的才智和悉数热心。他酷爱科学研讨，酷爱学生，酷爱古典音乐，酷爱共享他的教育理念以及古典音乐的美好。陈星弼先生的去世是我国科技界、教育界、九三学社和电子科技大学的重大损失。电子科技大学悲痛吊唁并殷切思念陈星弼先生！